由江蘇宏微科技有限公司自主研發的大功率超快速軟恢復外延型二極管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片，于10月25日順利通過有關專家組鑒定。專家組一致認為，該公司自主研制的非穿通型（NPT）IGBT芯片和FRED芯片，主要性能指標均達到國際先進水平，其中1200V IGBT主要性能指標超過了國際同類產品的先進水平。標志著我國新型電力半導體器件從此走上了產業化道路，開始追趕并逐漸超越世界領先水平的新里程。
IGBT和FRED器件是電力電子裝置和系統中的CPU，被國際電力電子行業公認為電力電子技術第三次革命最具代表性的器件。新型電力電子技術是改造傳統工業、促進新型高新技術產業發展的關鍵技術之一，可廣泛應用于風力發電系統、太陽能電源、航空、航天等多個領域。
近年來，我國電力電子器件的市場一直保持快速增長的勢頭。2011年預計市場銷售收入總額將突破1680億元，年均增長率將達到20.1%。在分立器件中，大功率高頻新型電力半導體器件IGBT、VDMOS 和FRED是增長最快的器件，年增長速率將達到25%左右。
江蘇宏微科技有限公司副總裁、芯片事業部總經理劉利峰介紹，IGBT和FRED產品在國外發達國家已經成熟發展了20余年，但我國一直處于科學研究和試驗樣品階段，主要參數不能滿足工業化的生產需要。宏微科技具有自主知識產權IGBT和FRED產品的產業化生產，不僅打破了我國電力電子系統與裝置對國外產品的長期依賴，減少了我國系統與裝置的生產成本，增加我國整機產品在國內外市場的競爭力，同時，對高污染、低效率的傳統工業進行徹底改造和更新換代，減少工業污染，提高電能和其它資源的使用效率，都起到了推動作用。
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