隨著半導體制程微縮到28納米，封測技術也跟著朝先進制程演進，日月光、矽品、京元電、力成、頎邦等一線大廠，皆加碼布局3DIC及相對應的系統級封裝(SiP)產能，包括矽穿孔(TSV)、銅柱凸塊(CopperPillarBump)等。封測業者預估，最快2011年第4季應可接單量產。
臺積電28納米制程已在2011年第2季正式量產，預計到第3季應可持續放量。聯電在日前法說會曾指出，該公司已有相關40-28納米的規劃，預料28納米的發展會比40-65奈米為快，28奈米制程在2012年可望與40納米同步。
半導體制程進入28納米時代，封裝技術也跟著同步演進，包括3DIC相對的SiP、TSV以及銅柱凸塊，都是業者加碼布局的重點。隨著TSV加工技術進步，與加工成本下滑，預估采用TSV3DIC技術的半導體產品出貨量市占比重，將從2009年的0.9%提高至2015年的14%。
SEMI臺灣暨東南亞區總裁曹世綸表示，3DIC是半導體封裝的必然趨勢，現在所有產業鏈中的廠商都在尋找更經濟的解決方案和合作伙伴，希望盡早克服技術瓶頸，達成量產目標。
3DIC將是后PC時代主流，力成、爾必達(Elpida)與聯電將針對28納米及以下制程，提!升3DIC整合技術，預計于第3季進入試產階段，其他封測大廠包括日月光、矽品等，也積極部署3D堆疊封裝技術，2012~2013年將可以見到明顯增溫態勢。
日月光集團總經理暨研發長唐和明指出，由于使用矽基=(SiliconInterposer)的2.5DIC供應鏈已大致完備，2.5DIC的導入預期會幫助半導體技術順利地由40奈米導入28納米及以下。在電腦及智慧型手機等應用驅動下，預估至2013年2.5D與3DIC的商業化產品將有機會問世。
艾克爾在日前的法說會上提及，該公司在第2季資本支出達9,700萬美元，用于支應晶片尺寸覆晶封裝(FCCSP)、堆疊式FCCSP(flipchipstackedCSP)、細線路銅柱凸塊覆晶封裝(finepitchcopperpillarflipchip)等新一代先進封裝技術。該公司表示，在積極著墨下，上述封裝技術的2011年上半營收比2010年同期倍增。
臺灣3大封測廠皆具備銅柱凸塊相關技術能力，在銅打線制程領先的日月光銅柱凸塊，已開始送樣認證。根據客戶產品藍圖規劃，隨著28納米制程在2012年躍升主流，也將推升銅柱凸塊需求大幅成長。力成已有相關機臺到位，并與客戶進行認證中，預計2011年第4季~2012年第1季即可量產。
頎邦和京元電于2011年3月簽訂合作備忘錄。著眼于電子產品輕薄短小為市場趨勢，電源管理IC為加強散熱以及增加電壓，對于厚銅制程需求開始浮現，且厚銅制程與金凸塊、錫鉛凸塊制程類似，機器設備?|性高，電源管理IC便成為頎邦及京元電共同合作布局的新領域。同時中小尺寸LCD驅動IC轉向12吋廠生產，8吋金凸塊產能開始閑置，朝向厚銅制程方向發展也可解決8吋金凸塊產能過剩問題。
|
