2011年6月23日消息，廣東銀雨半導體的最新晶片研發項目獲得了重大突破，該項目通過從外延、芯片到封裝的一系列工藝制程的改進與優化，使大功率LED的光效達到了100lm/W，該項芯片研發突破了三項技術難點問題，獲得了9項晶片專利授權。目前，10*23mil藍光芯片已成功銷往韓國高端照明應用市場。
廣東銀雨芯片半導體有限公司作為標桿的光電企業，根據自身的資源與優勢，希望透過從上游磊晶制程及中游晶粒成型制程的掌控；擴充公司現有在LED封裝成型的產量；一直到結合現有在LED相關產品的研發及生產能力，達到一條龍式的經營模式，形成一個完整的供應鏈。對上游關鍵元件的充分掌握，充分體現英語半導體從關鍵元件到產品垂直的目標，以降低產品價格而提高產品的競爭力，服務社會大眾。
銀雨半導體晶片項目的創新突破點：
1、襯底圖形化設計和N-AlGaN/GaN超晶格電流擴散刻蝕阻擋層設計提高功率LED的內量子效率；
2、利用外延片的倒裝焊工藝與藍光芯片發光面光學微結構設計相結合技術，來提升LED的發光效率；
3、利用發光芯片與厚金屬(100um以上)貼合制程技術，搭配激光剝離技術制備單電極芯片，提高芯片良率和發光效率；
4、利用具有梯度折射率的封裝材料由高向低涂覆在芯片上，來提高芯片封裝的出光效率。
5、采用共晶焊技術降低封裝熱阻，提高功率LED可靠性。
6、與周邊大學共同培養LED專業人才以滿足半導體照明行業的快速發展。
突破的三項關鍵技術難點：
1、圖形襯底研究和N-AlGaN/GaNSuperlattice超晶格電流擴散刻蝕阻擋層的實現；
2、藍光芯片發光面光學微結構設計和激光剝離技術制備單電極芯片；
3、適用于照明要求的散熱封裝設計及封裝中的高效光學設計。
技術方向：
1、量產高壓晶片光效可達120lm/w，
2、大功率芯片光效110lm/w，
3、大電流驅動，降低應用芯片數量，降低成本。
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