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科技新聞   日本開發出使用氧化鎵基板的GaN類LED元件 【世界機械網】 時間：2011-03-31　來源：本站整理　【收藏本頁】     　　據日本媒體報道，日本田村制作所與光波公司日前宣布，開發出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，開發的LED元件與以前使用藍寶石基板的LED元件相比，每單位面積可流過10倍以上的電流。將用于前照燈及投影儀等需要高亮度的用途。另外，氧化鎵基板通過簡單的溶液生長即可形成，因此是一種可實現低成本化的技術，還能用于照明等用途。同時預計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵（Ga2O3）基板。 　　據了解，氧化鎵基板具有高導電性，使用該基板的GaN類LED元件可在表、里兩面設置電極。田村制作所與光波公司此次開發了可大幅削減設于氧化鎵基板和GaN類外延層之間的緩沖層電阻技術，并且通過確立在氧化鎵基板上形成低電阻n型歐姆接觸電極的技術，實現了可流過大電流的LED元件。雖然有觀點指出氧化鎵基板容易破裂，但據稱此次通過調整氧化鎵基板的面方向解決了這一問題。 分享到：QQ空間新浪微博微信騰訊微博人人網QQ好友復制網址 免責聲明： 1、本文系網友投稿或編輯轉載，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責。 2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網聯系，我們將在第一時間刪除或斷開鏈接！ ※ 有關作品版權事宜請聯系客服